Il transistor a giunzione bipolare, anche chiamato con l'acronimo BJT, è un tipo di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica.

Il transistor a giunzione bipolare è un componente elettronico attivo usato principalmente come amplificatore ed interruttore.
Si tratta di tre strati di materiale semiconduttore drogato, solitamente il silicio, in cui lo strato centrale ha drogaggio opposto agli altri due, in modo da formare una doppia giunzione p-n, cioè o una giunzione p-n-p o una n-p-n. Ad ogni strato è associato un terminale: quello centrale prende il nome di base, quelli esterni sono detti collettore ed emettitore. Il principio di funzionamento del BJT si fonda sulla possibilità di controllare la conduttività elettrica del dispositivo, e quindi la corrente elettrica che lo attraversa, mediante l'applicazione di una tensione tra i suoi terminali. Tale dispositivo coinvolge sia i portatori di carica maggioritari sia quelli minoritari, e pertanto questo tipo di transistore è detto Bipolare.

Un sistema costituito da un singolo transistor può essere rappresentato come un generico quadripolo avente due terminali di ingresso e due di uscita. I tre terminali del transistor saranno uno il terminale di ingresso, un altro quello di uscita ed il terzo in comune, connesso cioè sia all'ingresso sia all'uscita. A seconda di quale sia il terminale comune il transistor può assumere le seguenti configurazioni: a base comune, a collettore comune o a emettitore comune.

Insieme al transistor ad effetto di campo, il BJT è il transistor più diffuso in elettronica, è in grado di offrire una maggiore corrente in uscita rispetto al FET, mentre ha lo svantaggio di non avere il terminale di controllo isolato.

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Author: Giacomo ArruEmail:

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